半導(dǎo)體和光電子行業(yè)生產(chǎn)中，純凈氨氣（NH?）作為氮化硅（Si?N?）、氮化鎵（GaN）等薄膜材料化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝的重要氮源被廣泛使用。依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14601—2009《電子工業(yè)用氣體氨》，氨產(chǎn)品分為電子級(jí)與光電子級(jí)兩類，兩者技術(shù)指標(biāo)有明顯不同，這體現(xiàn)了不同用途對(duì)氣體純凈度的不同要求。

電子級(jí)氨的純凈度標(biāo)準(zhǔn)是至少達(dá)到99.9995%（按體積算），其他成分如氧氣、氮?dú)狻⒁谎趸家约疤兼滈L(zhǎng)度在1到3之間的烴類，其存在量都要小于1百萬(wàn)分之一點(diǎn)零幾，水分含量也需控制在3百萬(wàn)分之以下，所有雜質(zhì)加起來(lái)的總量不能超過(guò)5百萬(wàn)分之幾。這種級(jí)別的氨氣適合用于普通半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)，例如在制造CMOS芯片時(shí)，給鈍化層加上材料、形成氧化硅氮化膜等步驟，雖然對(duì)氣體純凈度有很高要求，但可以接受極微量的不純物質(zhì)。

光電子級(jí)氨意味著要求極為嚴(yán)格，純度必須達(dá)到99.99994%以上，各種雜質(zhì)含量都有明確限制，含氧量（包括氬氣）、含氫量、含一氧化碳量、含烴類量均要小于0.1 ppm，含二氧化碳量也要小于0.1 ppm，含水量則要低于0.2 ppm，所有雜質(zhì)總和不能超過(guò)0.6 ppm。該項(xiàng)準(zhǔn)則還界定了十九種金屬成分，包括銻、鎘、鎵、鋰、鈉等，在氣態(tài)及液態(tài)環(huán)境中的高允許量，其中鋰、鉀、鎵這幾種金屬成分，其含量必須維持在每?jī)|份中低于一仟份以下。

這兩種氨的適用范圍清晰界定，前者專用于常規(guī)半導(dǎo)體制作流程，后者則服務(wù)于對(duì)金屬雜質(zhì)特別挑剔的高科技產(chǎn)業(yè)，諸如高亮度發(fā)光二極管、激光二極管以及大功率半導(dǎo)體等制造環(huán)節(jié)。堿金屬成分，包括鋰離子、鈉離子和鉀離子，在電場(chǎng)中容易發(fā)生移動(dòng)，從而造成設(shè)備漏電現(xiàn)象加劇和閾值電壓發(fā)生偏移；而重金屬成分，比如銅和鎳，則可能產(chǎn)生深能級(jí)缺陷，進(jìn)而干擾電荷載體的使用壽命。

因此，挑選恰當(dāng)檔次的氨氣，既是節(jié)省開支的需要，也是保障成品合格度和持久穩(wěn)定性的核心要素。制造廠商須按照工藝特點(diǎn)，嚴(yán)謹(jǐn)依照規(guī)范里的分析手段和評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，來(lái)維持氣體品質(zhì)始終如一，不受影響。